N Type 158.75mm Bifacial PERT Solcelle

Produkt introduktion:

N-type Mono bifacial PERT (passiveret udleder bageste helt diffust) silicium solceller besidder høj og stabiliseret konvertering effektivitetsgevinster. N-type silicium solceller betragtes som lovende alternativer til p-type solceller til næste generation meget effektive solceller takket være deres evne til at modstå lys-induceret nedbrydning og deres højere tolerance over for fælles metal urenheder. N type bifacial PERT solcelle kan fremstilles med proces flow ved hjælp af ion implantat til enkeltsidet doping for fremragende emitter junction kvalitet og ensartethed, en enkelt termisk anneal, integreret AlOx / SiNx passivation lag og skærm trykt Ag gitter på for-og bagside.

Send forespørgsel

Chat nu

Beskrivelse

Tekniske parametre

【Produktbeskrivelse】

N-type Mono bifacial PERT (passiveret udleder bageste helt diffust) silicium solceller besidder høj og stabiliseret konvertering effektivitetsgevinster.

N-type silicium solceller betragtes som lovende alternativer til p-typesolcellerfor næste generation meget effektive solceller takket være deres evne til at modstå lys-induceret nedbrydning og deres højere tolerance over for fælles metal urenheder.

N type bifacial PERT solcelle kan fremstilles med proces flow ved hjælp af ion implantat til enkeltsidet doping for fremragende emitter junction kvalitet og ensartethed, en enkelt termisk anneal, integreret AlOx / SiNx passivation lag og skærm trykt Ag gitter på for-og bagside.

N pert cross small

【Procesflow】

Process flow drawn

【Nøglefunktioner】

Høj konverteringseffektivitet med høj pålidelighed

Ingen lys-induceret nedbrydning

Ensartet celleydeevne med stabil processtyring

Begge sider kan producere elektricitet

Fremragende ydeevne ved elproduktion under lav bestråling

Lav hot spot risiko

【Tekniske data】

TEKNISKE DATA OG DESIGN		TEMPERATURKOEFFICIENTER OG LODDELIGHED
dimension	158,75 mm*158,75 mm±0,25	TkUoc (%/K)	-0.302
tykkelse	190±30 μm	TkIsc (%/K)	+0.048
front	9 Busbars	TkPMAX (%/K)	-0.38
ryg	9 Busbars	Minimum for skrælstyrke	>1,4N/mm

ELEKTRISKE PARAMETRE ved STC
Nej.	Effektivitet (%)	Pmpp (W)	Uoc (V)	Isc (A)	FF (%)
1	23.00%	5.75	0.700	10.110	81.28
2	22.90%	5.73	0.699	10.098	81.19
3	22.80%	5.70	0.698	10.070	81.13
4	22.70%	5.68	0.697	10.063	81.02
5	22.60%	5.65	0.696	10.045	80.86
6	22.50%	5.63	0.695	10.031	80.78
7	22.40%	5.60	0.694	10.011	80.64
8	22.30%	5.58	0.693	10.000	80.55
9	22.20%	5.55	0.692	9.986	80.40
10	22.10%	5.53	0.691	9.979	80.24
11	22.00%	5.50	0.690	9.961	80.07
12	21.90%	5.48	0.689	9.951	79.96
13	21.80%	5.45	0.688	9.933	79.82
14	21.70%	5.43	0.687	9.914	79.78
15	21.60%	5.40	0.686	9.895	79.62
16	21.50%	5.38	0.685	9.875	79.58
17	21.40%	5.35	0.684	9.856	79.42
18	21.30%	5.33	0.683	9.844	79.34
19	21.20%	5.30	0.682	9.818	79.22
20	21.10%	5.28	0.681	9.800	79.18
21	21.00%	5.25	0.680	9.775	79.08

Factory 01 - DS New Energy.jpg

Populære tags: N Type 158.75mm Bifacial PERT Solar Cell, Kina, leverandører, producenter, fabrik, fremstillet i Kina