P Type 182mm Monokrystallinsk Solar Wafer

Vækstmetode

CZ

Krystallinitet

Monokrystallinsk

Foretrukne ætsningsteknikker（ASTM F47-88）

Ledningsevne type

P-type

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

Bor, Gallium

-

Oxygenkoncentration [Oi]

≦8E+17 ved / cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Kulstofkoncentration [Cs]

≦5E+16 ved / cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Ætsning af pitdensitet (dislokationstæthed)

≦500 cm^-3

Foretrukne ætsningsteknikker（ASTM F47-88）

Overfladeorientering

& lt; 100> ± 3 °

Røntgendiffraktionsmetode (ASTM F26-1987)

Retning af pseudo-firkantede sider

& lt; 010>,< 001=""> ± 3 °

Røntgendiffraktionsmetode (ASTM F26-1987)

Modstand

0,5-1,5 Ωcm

Wafer-inspektionssystem

MCLT (minoritetsoperatørs levetid)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(med injektionsniveau: 1E15 cm^-3)

Geometri

Fuld firkant

Wafer Sidelængde

182 ± 0,25 mm

waferinspektionssystem

Wafer Diameter

φ247 ± 0,25 mm

waferinspektionssystem

Vinkel mellem tilstødende sider

90° ± 0.2°

waferinspektionssystem

Tykkelse

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (Total tykkelsesvariation)

≤27 µm

waferinspektionssystem

Skæremetode

DW

--

Overfladekvalitet

som skåret og rengjort, ingen synlig forurening (olie eller fedt, fingeraftryk, sæbe pletter, gyllepletter, epoxy / lim pletter er ikke tilladt)

waferinspektionssystem

Savmærker / trin

≤ 15µm

waferinspektionssystem

Sløjfe

≤ 40 µm

waferinspektionssystem

Kæde

≤ 40 µm

waferinspektionssystem

Chip

dybde ≤0,3 mm og længde ≤ 0,5 mm Maks 2 / stk. ingen V-chip

Nøgne øjne eller waferinspektionssystem

Micro revner / huller

Ikke tilladt

waferinspektionssystem