P Type M6 Monokrystallinsk sol wafer

P Type M6 Monokrystallinsk sol wafer
Produkt introduktion:
P type M6 monokrystallinsk silicium sol wafer med diameter på 223mm er 12,21% større end M2 wafer.
Send forespørgsel
Chat nu
Beskrivelse
Tekniske parametre


M6 solar wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


P type M6 monokrystallinsk silicium sol wafer med en længde på 166mm og diameter på 223mm er 12,21% større end M2 wafer. det betyder, at solceller lavet af M6 substrat vil have 12,21% højere effekt end lavet af M2 substrat.


1      Materialeegenskaber

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

Vækstmetode

Cz


Krystallinitet

Monokrystallinsk

 

Præference etch teknikkerASTM F47-88

Ledningsevne type

P-type

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

 

Bor, Gallium

 

-

Iltkoncentration[Oi]

≦8E+17 ved/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Kulstofkoncentration[Cs]

5E+16 ved/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Tæthed af ætsende gruber (dislokationstæthed)

500 cm-3

Præference etch teknikkerASTM F47-88

Overfladeretning

<100>±3°

X-ray Diffraktion Metode (ASTM F26-1987)

Orientering af pseudo kvadratiske sider

<010>,<001>±3°

X-ray Diffraktion Metode (ASTM F26-1987)

 

2      Elektriske egenskaber

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

resistivitet

0,5-1,5 Ωcm

Wafer inspektionssystem

MCLT (levetid for minoritetsbærere)

50 μs

Sinton BCT-400

(med injektionsniveau: 1E15 centimeter-3)

 

3      geometri

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

geometri

Fuld firkant


Wafer-sidelængde

166±0,25 mm

wafer inspektionssystem

Wafer Diameter

φ223±0,25 mm

wafer inspektionssystem

Vinkel mellem tilstødende sider

90° ± 0,2°

wafer inspektionssystem

tykkelse

18020/10 μm;

17020/10 μm

wafer inspektionssystem

TTV (Variation i samlet tykkelse)

27 μm

wafer inspektionssystem


 166mmx166mm M6 solar wafer

 

 

4      Egenskaber for overflade

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

Skæringsmetode

Dw

--

Overfladekvalitet

som skåret og rengjort, ingen synlig forurening, (olie eller fedt, fingeraftryk, sæbe pletter, gylle pletter, epoxy / lim pletter er ikke tilladt)

wafer inspektionssystem

Savmærker/trin

≤ 15μm

wafer inspektionssystem

bue

≤ 40 μm

wafer inspektionssystem

Warp

≤ 40 μm

wafer inspektionssystem

jeton

dybde ≤0,3 mm og ≤ 0,5 mm Maks.   ingen V-chip

Inspektionssystem med blotte øjne eller wafer

Mikro revner / huller

Ikke tilladt

wafer inspektionssystem




 

Populære tags: p type m6 monokrystallinsk sol wafer, Kina, leverandører, producenter, fabrik, fremstillet i Kina

Send forespørgsel
Hvordan løser man kvalitetsproblemerne efter salg?
Tag billeder af problemerne og send til os. Efter bekræftelse af problemerne, vi
vil lave en tilfreds løsning til dig inden for få dage.
kontakt os