P Type M6 Monokrystallinsk sol wafer

P Type M6 Monokrystallinsk sol wafer

P type M6 monokrystallinsk silicium sol wafer med diameter på 223mm er 12,21% større end M2 wafer.
Share to
Send forespørgsel
Chat nu
Beskrivelse
Tekniske parametre


M6 solar wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


P type M6 monokrystallinsk silicium sol wafer med en længde på 166mm og diameter på 223mm er 12,21% større end M2 wafer. det betyder, at solceller lavet af M6 substrat vil have 12,21% højere effekt end lavet af M2 substrat.


1      Materialeegenskaber

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

Vækstmetode

Cz


Krystallinitet

Monokrystallinsk

 

Præference etch teknikkerASTM F47-88

Ledningsevne type

P-type

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

 

Bor, Gallium

 

-

Iltkoncentration[Oi]

≦8E+17 ved/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Kulstofkoncentration[Cs]

5E+16 ved/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Tæthed af ætsende gruber (dislokationstæthed)

500 cm-3

Præference etch teknikkerASTM F47-88

Overfladeretning

<100>±3°

X-ray Diffraktion Metode (ASTM F26-1987)

Orientering af pseudo kvadratiske sider

<010>,<001>±3°

X-ray Diffraktion Metode (ASTM F26-1987)

 

2      Elektriske egenskaber

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

resistivitet

0,5-1,5 Ωcm

Wafer inspektionssystem

MCLT (levetid for minoritetsbærere)

50 μs

Sinton BCT-400

(med injektionsniveau: 1E15 centimeter-3)

 

3      geometri

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

geometri

Fuld firkant


Wafer-sidelængde

166±0,25 mm

wafer inspektionssystem

Wafer Diameter

φ223±0,25 mm

wafer inspektionssystem

Vinkel mellem tilstødende sider

90° ± 0,2°

wafer inspektionssystem

tykkelse

18020/10 μm;

17020/10 μm

wafer inspektionssystem

TTV (Variation i samlet tykkelse)

27 μm

wafer inspektionssystem


 166mmx166mm M6 solar wafer

 

 

4      Egenskaber for overflade

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

Skæringsmetode

Dw

--

Overfladekvalitet

som skåret og rengjort, ingen synlig forurening, (olie eller fedt, fingeraftryk, sæbe pletter, gylle pletter, epoxy / lim pletter er ikke tilladt)

wafer inspektionssystem

Savmærker/trin

≤ 15μm

wafer inspektionssystem

bue

≤ 40 μm

wafer inspektionssystem

Warp

≤ 40 μm

wafer inspektionssystem

jeton

dybde ≤0,3 mm og ≤ 0,5 mm Maks.   ingen V-chip

Inspektionssystem med blotte øjne eller wafer

Mikro revner / huller

Ikke tilladt

wafer inspektionssystem




Populære tags: p type m6 monokrystallinsk sol wafer, Kina, leverandører, producenter, fabrik, fremstillet i Kina

Send forespørgsel
Send forespørgsel