Produktintroduktion
P--type SiC-substrater er designet til homeepitaksial vækst og udvikling af ultra-høj-effekthalvlederenheder. Med fremragende elektriske og termiske egenskaber, denne høje-ydelseSiC substrater velegnet til krævende høj-effektapplikationer, herunder ultra-høj-strømtransmission og smart grid-infrastruktur.
Disse P-typeSiC wafersunderstøtter også applikationer inden for jernbanetransit, industrielle strømsystemer og andet høj-elektrisk udstyr, hvor høj-spændingskapacitet, pålidelighed og effektiv strømkonvertering er påkrævet.
Specifikationer
| 6-tommer | |
|---|---|
| Diameter | 150,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Overfladeorientering | 4 grader mod<1120>±0,5 grader |
| Primær flad længde | 47,5 mm±1,5 mm |
| Primær flad orientering | <1120>±5,0 grader |
| Notch Orientering | / |
| Notch vinkel | / |
| Hakdybde | / |
| Tykkelse | 350,0um±25,0um |
| Polytype | 4H |
| Type | p-type |
| 8-tommer | |
|---|---|
| Diameter | 200,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Overfladeorientering | 4 grader mod<1120>±0,5 grader |
| Primær flad længde | Hak |
| Primær flad orientering | / |
| Notch Orientering | <1100>±1,0 grader |
| Notch vinkel | 90 grader +5 grad /-1 grad |
| Hakdybde | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Tykkelse | 350,0um±25,0um |
| Polytype | 4H |
| Type | p-type |
| 12 tommer | |
|---|---|
| Diameter | 300,0 mm±0,5 mm |
| Overfladeorientering | 4 grader mod<1120>±0,5 grader |
| Primær flad længde | Hak |
| Primær flad orientering | / |
| Notch Orientering | <1100>±5,0 grader |
| Notch vinkel | 90 grader +5 grad /-1 grad |
| Hakdybde | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Tykkelse | 750,0um±25,0um |
| Polytype | 4H |
| Type | p-type |
Certifikat
Populære tags: 4H P-Type SiC wafer, Kina, leverandører, producenter, fabrik, fremstillet i Kina
