4H semi-isolerende SiC-wafer

Halv-isolerende SiC-substrater tilbyder høj resistivitet og fremragende termiske egenskaber, hvilket gør dem velegnede til GaN heteroepitaxial vækst og højfrekvente RF-halvlederapplikationer. Som en høj-ydelseSiC substrat, er det meget brugt til HEMT-baserede enheder i avancerede kommunikationssystemer, herunder 5G-infrastruktur.

Disse semi-isolerendeSiC wafersgiver også fremragende optiske og materialeegenskaber, der understøtter nye applikationer inden for optoelektronik og bærbar elektronik. 12-tommers SiC-substrater tilbyder potentiale for næste-applikationer såsom AR-briller og andre avancerede optiske enheder.

 

6-tommer
Diameter	150,0 mm+0mm/-0,2 mm
Overfladeorientering	{0001}±0,2 grader
Primær flad orientering	/
Sekundær flad orientering	/
Primær flad længde	Hak
Sekundær flad længde	Ingen
Notch Orientering	<1100>±1,0 grader
Hakdybde	Ingen1mm+0.25mm/-0mm fra kant
Notch vinkel	90 grader +5 grad /-1 grad
Tykkelse	500,0um±25,0um
Type	Halv-isolerende

 

 

 

8-tommer
Diameter	200,0 mm+0mm/-0,5 mm
Overfladeorientering	{0001}±0,2 grader
Primær flad orientering	/
Sekundær flad orientering	/
Primær flad længde	Hak
Sekundær flad længde	Ingen
Notch Orientering	<1100>±1,0 grader
Hakdybde	Ingen1mm+0.25mm/-0mm fra kant
Notch vinkel	90 grader +5 grad /-1 grad
Tykkelse	500,0um±25,0um
Type	Halv-isolerende

 

 

12 tommer
Diameter	300,0 mm+0mm/-0,5 mm
Overfladeorientering	{0001}±0,5 grader
Primær flad orientering	/
Sekundær flad orientering	/
Primær flad længde	Hak
Sekundær flad længde	Ingen
Notch Orientering	<1100>±5,0 grader
Hakdybde	Ingen1mm+0.25mm/-0mm fra kant
Notch vinkel	90 grader +5 grad /-1 grad
Tykkelse	750,0um±25,0um
Type	Halv-isolerende