CZ silicon crystal growth

158.75mm full square monocrystalline solar wafer

N-typen G1 monokrystallinsk siliciumskive har en fuld firkant 158,75 × 158,75 mm design, der maksimerer lyseksponering og moduleffektivitet. Fremstillet ved hjælp af CZ -metoden med fosfordoping, den tilbyder fremragende materialekvalitet, lav dislokationstæthed (mindre end eller lig med 500 cm⁻²) og<100>krystalorientering. Med N-type ledningsevne, et resistivitetsområde på 0,5–7 Ω · cm og bærer levetid op til større end eller lig med 1000 µs, er det velegnet til højeffektivitetscelleteknologier som TopCon og HJT. Dens fulde firkantede form og stramme geometriske tolerancer sikrer optimal modulintegration og ydeevne.

1. Materielle egenskaber

Ejendom	Specifikation	Inspektionsmetode
Vækstmetode	Cz
Krystallinitet	Monokrystallinsk	Foretrukne ætsningsteknikker(ASTM F47-88)
Konduktivitetstype	N-type	Napson EC-80TPN
Dopingmiddel	Fosfor	-
Oxygenkoncentration [OI]	Mindre end eller lig med8e +17 at/cm³	FTIR (ASTM F121-83)
Carbonkoncentration [CS]	Mindre end eller lig med5e +16 at/cm³	FTIR (ASTM F123-91)
Ætsning af pitdensitet (dislokationstæthed)	Mindre end eller lig med500 cm^-2	Foretrukne ætsningsteknikker(ASTM F47-88)
Overfladeorientering	<100>± 3 grader	Røntgenstrålediffraktionsmetode (ASTM F26-1987)
Orientering af pseudo -firkantede sider	<010>,<001>± 3 grader	Røntgenstrålediffraktionsmetode (ASTM F26-1987)

2.elektriske egenskaber

Ejendom	Specifikation	Inspektionsmetode
Resistivitet	1,0-7,0 Ω.cm	Wafer Inspection System
MCLT (Minority Carrier Lifetime)	Større end eller lig med 1000 µs (Resistivity ＞ 1,0OHM.CM) Større end eller lig med 500 µs (Resistivity ＜ 1,0OHM.CM)	Sinton BCT-400 QSSPC/forbigående (med injektionsniveau: 1E15 cm -3)

3.geometri

Ejendom	Specifikation	Inspektionsmetode
Geometri	Pseudo Square
Skrå kantform	rund
Wafer sidelængde	182 ± 0,25 mm	Wafer Inspection System
Wafer Diameter	φ247 ± 0,25 mm	Wafer Inspection System
Vinkel mellem tilstødende sider	90 grader ± 0,2 grad	Wafer Inspection System
Tykkelse	180﹢ 20/﹣10 µm 175﹢ 20/﹣10 µm 170﹢ 20/﹣10 µm 160﹢ 20/﹣10 µm 150﹢ 20/﹣10 µm	Wafer Inspection System
TTV (total tykkelsesvariation)	Mindre end eller lig med 27 µm	Wafer Inspection System

4.Overfladeegenskaber

Ejendom	Specifikation	Inspektionsmetode
Skæremetode	Dw	--
Overfladekvalitet	Som skåret og rengjort, ingen synlig	Wafer Inspection System
Så mærker / trin	Mindre end eller lig med 15 uM	Wafer Inspection System
Sløjfe	Mindre end eller lig med 40 um	Wafer Inspection System
Warp	Mindre end eller lig med 40 um	Wafer Inspection System
Chip	dybde mindre end eller lig med 0,3 mm og længde mindre end eller lig med 0,5 mm max 2/pc'er; Ingen V-chip	Nøgne øjne eller skiveinspektionssystem
Mikro revner / huller	Ikke tilladt	Wafer Inspection System

Populære tags: N-Type G1 monokrystallinsk siliciumskiver-specifikation, Kina, leverandører, producenter, fabrik, lavet i Kina

N-type G1 monokrystallinsk siliciumskive-specifikation

Du kan også lide

Send forespørgsel