Produktintroduktion
N--type SiC-substrater er konstrueret til homoepitaksial vækst i avanceret krafthalvlederfremstilling. Med overlegen elektrisk og termisk ydeevne, denne høje-ydelseSiC substrater velegnet til høj-effektapplikationer på tværs af elektriske køretøjer, solcelleanlæg, vindkraft og andre nye energiteknologier.
Produktsortimentet omfatter 6-tommer og 8-tommerSiC waferstil volumenproduktion og global forsyning, med 12-tommers substratproduktionskapacitet tilgængelig til næste generations krafthalvlederapplikationer.
Specifikationer
| 6-tommer | |
|---|---|
| Diameter | 150,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Overfladeorientering | 4 grader mod<1120>±0,5 grader |
| Primær flad længde | 47,5 mm ±1,5 mm |
| Primær flad orientering | <1120>±1,0 grader |
| Notch Orientering | / |
| Notch vinkel | / |
| Indhak dybde | / |
| Sekundær lejlighed | N/A |
| Tykkelse | 350,0um±25,0um |
| Polytype | 4H |
| Type | n-type |
| 8-tommer | |
|---|---|
| Diameter | 200,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Overfladeorientering | 4 grader mod<1120>±0,5 grader |
| Primær flad længde | Hak |
| Primær flad orientering | / |
| Notch Orientering | <1100>±1,0 grader |
| Notch vinkel | 90 grader +5 grad /-1 grad |
| Indhak dybde | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Sekundær lejlighed | N/A |
| Tykkelse | 500,0um±25,0um |
| Polytype | 4H |
| Type | n-type |
| 12 tommer | |
|---|---|
| Diameter | 300,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Overfladeorientering | 4 grader mod<1120>±0,5 grader |
| Primær flad længde | Hak |
| Primær flad orientering | / |
| Notch Orientering | <1100>±5,0 grader |
| Notch vinkel | 90 grader +5 grad /-1 grad |
| Indhak dybde | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Sekundær lejlighed | N/A |
| Tykkelse | 750.0um±25.0um |
| Polytype | 4H |
| Type | n-type |
Certifikat
Populære tags: 4h n-type sic substrat, Kina, leverandører, producenter, fabrik, fremstillet i Kina
