P Type M10 Monokrystallinsk sol wafer

P Type M10 Monokrystallinsk sol wafer

M10 med dimension af 182mmx182mm monokrystallinsk silicium sol wafer med diameter på 247mm kan gøre højere effekt solceller.
Share to
Send forespørgsel
Chat nu
Beskrivelse
Tekniske parametre


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


210mmx210mm M12 monokrystallinsk silicium sol wafer med diameter på 295mm er 80,5% større end M2 wafer.


1      Materialeegenskaber

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

Vækstmetode

Cz


Krystallinitet

Monokrystallinsk

 

Præference etch teknikker(ASTM F47-88)

Ledningsevne type

P-type

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

 

Bor, Gallium

 

-

Iltkoncentration[Oi]

≦8E+17 ved/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Kulstofkoncentration[Cs]

≦5E+16 ved/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Tæthed af ætsende gruber (dislokationstæthed)

≦500 cm-3

Præference etch teknikker(ASTM F47-88)

Overfladeretning

<100>±3°

X-ray Diffraktion Metode (ASTM F26-1987)

Orientering af pseudo kvadratiske sider

<010>,<001>±3°

X-ray Diffraktion Metode (ASTM F26-1987)

 

2      Elektriske egenskaber

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

resistivitet

0,5-1,5 Ωcm

Wafer inspektionssystem

MCLT (levetid for minoritetsbærere)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(med injektionsniveau: 1E15 centimeter-3)

 

3      geometri

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

geometri

Fuld firkant


Wafer-sidelængde

182±0,25 mm

wafer inspektionssystem

Wafer Diameter

φ247±0,25 mm

wafer inspektionssystem

Vinkel mellem tilstødende sider

90° ± 0,2°

wafer inspektionssystem

tykkelse

180﹢20/﹣10 μm;

170﹢20/﹣10 μm

wafer inspektionssystem

TTV (Variation i samlet tykkelse)

≤27 μm

wafer inspektionssystem


 image

 

 

4      Egenskaber for overflade

 

egenskab

specifikation

Inspektionsmetode

Skæringsmetode

Dw

--

Overfladekvalitet

som skåret og rengjort, ingen synlig forurening, (olie eller fedt, fingeraftryk, sæbe pletter, gylle pletter, epoxy / lim pletter er ikke tilladt)

wafer inspektionssystem

Savmærker/trin

≤ 15μm

wafer inspektionssystem

bue

≤ 40 μm

wafer inspektionssystem

Warp

≤ 40 μm

wafer inspektionssystem

jeton

dybde ≤0,3 mm og ≤ 0,5 mm Maks.   ingen V-chip

Inspektionssystem med blotte øjne eller wafer

Mikro revner / huller

Ikke tilladt

wafer inspektionssystem




Populære tags: p type m10 monokrystallinsk sol wafer, Kina, leverandører, producenter, fabrik, fremstillet i Kina

Send forespørgsel
Send forespørgsel