P Type M12 Monokrystallinsk sol wafer

Vækstmetode

Cz

Krystallinitet

Monokrystallinsk

Præference etch teknikker（ASTM F47-88）

Ledningsevne type

P-type

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

Bor, Gallium

-

Iltkoncentration[Oi]

≦8E+17 ved/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Kulstofkoncentration[Cs]

≦5E+16 ved/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Tæthed af ætsende gruber (dislokationstæthed)

≦500 cm^-3

Præference etch teknikker（ASTM F47-88）

Overfladeretning

<100>±3°

X-ray Diffraktion Metode (ASTM F26-1987)

Orientering af pseudo kvadratiske sider

<010>,<001>±3°

X-ray Diffraktion Metode (ASTM F26-1987)

resistivitet

0,5-1,5 Ωcm

Wafer inspektionssystem

MCLT (levetid for minoritetsbærere)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(med injektionsniveau: 1E15 centimeter^-3)

geometri

Fuld firkant

Wafer-sidelængde

210±0,25 mm

wafer inspektionssystem

Wafer Diameter

φ295±0,25 mm

wafer inspektionssystem

Vinkel mellem tilstødende sider

90° ± 0,2°

wafer inspektionssystem

tykkelse

180﹢20/﹣10 μm;

170﹢20/﹣10 μm

TTV (Variation i samlet tykkelse)

≤27 μm

wafer inspektionssystem

Skæringsmetode

Dw

--

Overfladekvalitet

som skåret og rengjort, ingen synlig forurening, (olie eller fedt, fingeraftryk, sæbe pletter, gylle pletter, epoxy / lim pletter er ikke tilladt)

wafer inspektionssystem

Savmærker/trin

≤ 15μm

wafer inspektionssystem

bue

≤ 40 μm

wafer inspektionssystem

Warp

≤ 40 μm

wafer inspektionssystem

jeton

dybde ≤0,3 mm og ≤ 0,5 mm Maks.   ingen V-chip

Inspektionssystem med blotte øjne eller wafer

Mikro revner / huller

Ikke tilladt

wafer inspektionssystem